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FDS86267P

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onsemi

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

FDS86267P Technisches Datenblatt

compliant

FDS86267P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.65281 -
5,000 $0.62017 -
12,500 $0.59685 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 255mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1130 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

NVJS4151PT1G
NVJS4151PT1G
$0 $/Stück
G20P10KE
G20P10KE
$0 $/Stück
SIHG16N50C-E3
FDB0260N1007L
FDB0260N1007L
$0 $/Stück
RD3H160SPTL1
R6004ENX
R6004ENX
$0 $/Stück
IRFD9110PBF
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PMN30ENEAX
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