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R6004ENX

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MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM

R6004ENX Technisches Datenblatt

compliant

R6004ENX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.52000 $1.52
10 $1.35700 $13.57
100 $1.05800 $105.8
500 $0.87400 $437
1,000 $0.69000 -
2,500 $0.64400 -
122 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 980mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IRFD9110PBF
IRFD9110PBF
$0 $/Stück
PMN30ENEAX
PMN30ENEAX
$0 $/Stück
FDMS8622
FDMS8622
$0 $/Stück
PSMN004-60B,118
MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG
$0 $/Stück

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