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FQPF2N80

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

FQPF2N80 Technisches Datenblatt

compliant

FQPF2N80 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.56000 $1.56
10 $1.40500 $14.05
100 $1.12930 $112.93
500 $0.87832 $439.16
1,000 $0.72776 -
889 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.3Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 550 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

2N7002A
2N7002A
$0 $/Stück
STP12N50M2
STP12N50M2
$0 $/Stück
DI006P02PW
FQB7N10TM
PMN15UN115
PMN15UN115
$0 $/Stück
FQPF13N10
FDS8447
FDS8447
$0 $/Stück

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