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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 20A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | - |
rds ein (max) @ id, vgs | 27mOhm @ 10A, 5V |
vgs(th) (max) @ ID | 2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 18.9 nC @ 10 V |
vgs (max) | - |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1260 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | - |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DPAK |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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