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NTHD3100CT1

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onsemi

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

NTHD3100CT1 Technisches Datenblatt

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NTHD3100CT1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A, 3.2A
rds ein (max) @ id, vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.3nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 165pF @ 10V
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

ECH8659-TL-HX
ECH8659-TL-HX
$0 $/Stück
STS1DN45K3
STS1DN45K3
$0 $/Stück
SI4330DY-T1-E3
ZXMD63P02XTA
SP8J65TB1
SP8J65TB1
$0 $/Stück
BSO615N
BSO615N
$0 $/Stück

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