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SP8J65TB1

SP8J65TB1

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MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC

SP8J65TB1 Technisches Datenblatt

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SP8J65TB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.99820 -
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A
rds ein (max) @ id, vgs 29mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1200pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

BSO615N
BSO615N
$0 $/Stück
SI5515DC-T1-GE3
NTJD3158CT2G
NTJD3158CT2G
$0 $/Stück
NTHC5513T1
NTHC5513T1
$0 $/Stück
NTJD4401NT4G
NTJD4401NT4G
$0 $/Stück
SI5935DC-T1-GE3
SI6967DQ-T1-E3
IRF7338TRPBF
PMV50ENEA,215

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