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NTHS5443T1G

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

NTHS5443T1G Technisches Datenblatt

compliant

NTHS5443T1G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21756 -
6,000 $0.20352 -
15,000 $0.18949 -
30,000 $0.17966 -
556346 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.6A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 600mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket ChipFET™
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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