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NTMD6601NR2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC

compliant

NTMD6601NR2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
60595 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.1A
rds ein (max) @ id, vgs 215mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 400pF @ 25V
Leistung - max. 600mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

MCQ4559-TP
NTLJD3115PT1G
NTLJD3115PT1G
$0 $/Stück
BSO150N03
DMN3022LFG-13
FDJ1028N
QS6K1TR
QS6K1TR
$0 $/Stück
NTMD6P02R2G
NTMD6P02R2G
$0 $/Stück
DMN2005DLP4K-7

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