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NVMD6N04R2G

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onsemi

MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

NVMD6N04R2G Technisches Datenblatt

nicht konform

NVMD6N04R2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.70132 -
5,000 $0.66625 -
12,500 $0.64120 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.6A
rds ein (max) @ id, vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 900pF @ 32V
Leistung - max. 1.29W
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

PMGD8000LN,115
PMGD8000LN,115
$0 $/Stück
MP6K31TR
MP6K31TR
$0 $/Stück
FDS6982S
FDW9926A
MCS2010-TP
IRF7380QTRPBF
ZXMC4A16DN8TA
DMN5L06VK-13A

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