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SSD2009ATF

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onsemi

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

SSD2009ATF Technisches Datenblatt

nicht konform

SSD2009ATF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SI1972DH-T1-GE3
SI5509DC-T1-GE3
NTMD5836NLR2G
NTMD5836NLR2G
$0 $/Stück
SIZ914DT-T1-GE3
SH8K15TB1
SH8K15TB1
$0 $/Stück
IRF9952PBF
SP8M8FU6TB
SP8M8FU6TB
$0 $/Stück

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