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PJP4NA90_T0_00001

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PJP4NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

compliant

PJP4NA90_T0_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.71000 $1.71
500 $1.6929 $846.45
1000 $1.6758 $1675.8
1500 $1.6587 $2488.05
2000 $1.6416 $3283.2
2500 $1.6245 $4061.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 710 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STSJ60NH3LL
NVBG060N090SC1
NVBG060N090SC1
$0 $/Stück
IXTH12N70X2
IXTH12N70X2
$0 $/Stück
NVTFS008N04CTAG
NVTFS008N04CTAG
$0 $/Stück
NVTYS004N04CLTWG
NVTYS004N04CLTWG
$0 $/Stück
APT20M20JLL
NDP603AL
RTL020P02FRATR
IXTT90P10P
IXTT90P10P
$0 $/Stück

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