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PJW5P06A-AU_R2_000A1

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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJW5P06A-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 68mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 879 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-223
Paket / Koffer TO-261-4, TO-261AA
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Zugehörige Teilenummer

PHB32N06LT,118
IPP65R190C7
DMN2991UFZ-7B
FDS8884
FDS8884
$0 $/Stück
NVMFS6D1N08HT1G
NVMFS6D1N08HT1G
$0 $/Stück
SQ2362ES-T1_GE3
SPP02N60C3
NVTFS4C25NWFTAG
NVTFS4C25NWFTAG
$0 $/Stück

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