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QJD1210011

QJD1210011

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Powerex Inc.

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

QJD1210011 Technisches Datenblatt

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QJD1210011 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200V (1.2kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 500nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10200pF @ 800V
Leistung - max. 900W
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket Module
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