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RM2003

RM2003

RM2003

Rectron USA

MOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6

RM2003 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM2003 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06200 $0.062
500 $0.06138 $30.69
1000 $0.06076 $60.76
1500 $0.06014 $90.21
2000 $0.05952 $119.04
2500 $0.0589 $147.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 35mOhm @ 3A, 4.5V, 75mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5nC @ 4.5V, 3.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 260pF @ 10V, 325pF @ 10V
Leistung - max. 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

APTM10TAM09FPG
APTC60BBM24T3G
SIR770DP-T1-GE3
NTHD3102CT1G
NTHD3102CT1G
$0 $/Stück
ZXMC3A16DN8TA
SI4946BEY-T1-GE3
EMH2308-TL-E
EMH2308-TL-E
$0 $/Stück
SQJB80EP-T1_BE3
BUK9K13-60EX
IRF7389PBF

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