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RM2020ES9

RM2020ES9

RM2020ES9

Rectron USA

MOSFET N&P-CH 20V SOT363

RM2020ES9 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM2020ES9 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05500 $0.055
500 $0.05445 $27.225
1000 $0.0539 $53.9
1500 $0.05335 $80.025
2000 $0.0528 $105.6
2500 $0.05225 $130.625
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 750mA (Ta), 800mA (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, 380mOhm @ 650mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1.8pC @ 10V, 750pC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 87pF @ 10V, 120pF @ 16V
Leistung - max. 150mW (Ta), 800mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SOT-363
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Zugehörige Teilenummer

FDMS7620S-F106
FDMS7620S-F106
$0 $/Stück
FDS4897AC
FDS4897AC
$0 $/Stück
NVMFD5C462NT1G
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$0 $/Stück
FDS6900AS
ECH8655R-TL-H
ECH8655R-TL-H
$0 $/Stück
BUK7K89-100EX
CSD86350Q5D
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$0 $/Stück
FDD3510H
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$0 $/Stück

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