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RM2309E

RM2309E

RM2309E

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V SOT23

RM2309E Technisches Datenblatt

nicht konform

RM2309E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.05400 $0.054
500 $0.05346 $26.73
1000 $0.05292 $52.92
1500 $0.05238 $78.57
2000 $0.05184 $103.68
2500 $0.0513 $128.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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