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RM35P30LDV

RM35P30LDV

RM35P30LDV

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 35A TO252-2

RM35P30LDV Technisches Datenblatt

nicht konform

RM35P30LDV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.19800 $0.198
500 $0.19602 $98.01
1000 $0.19404 $194.04
1500 $0.19206 $288.09
2000 $0.19008 $380.16
2500 $0.1881 $470.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1345 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS4C06NTAG
NVTFS4C06NTAG
$0 $/Stück
RM30P55LD
RM30P55LD
$0 $/Stück
SI4413ADY-T1-GE3
MCG65N03-TP
IXTA10P50P-TRL
IXTA10P50P-TRL
$0 $/Stück
SCT3120ALGC11
STL12N60M2
STL12N60M2
$0 $/Stück
NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
$0 $/Stück

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