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RM80N30LD

RM80N30LD

RM80N30LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252-2

RM80N30LD Technisches Datenblatt

compliant

RM80N30LD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.19000 $0.19
500 $0.1881 $94.05
1000 $0.1862 $186.2
1500 $0.1843 $276.45
2000 $0.1824 $364.8
2500 $0.1805 $451.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2330 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 83W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

NTS4001NT1G
NTS4001NT1G
$0 $/Stück
STP5NK80ZFP
FDMC8676
STI16N65M5
STI16N65M5
$0 $/Stück
IRL640PBF
IRL640PBF
$0 $/Stück

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