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2SK1339-E

2SK1339-E

2SK1339-E

MOSFET N-CH 900V 3A TO3P

2SK1339-E Technisches Datenblatt

compliant

2SK1339-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 425 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STF25NM60ND
IXFN21N100Q
IXFN21N100Q
$0 $/Stück
SI6467BDQ-T1-E3
ZVN4210GTC
SI4406DY-T1-GE3
SP001606042
IRF8707GTRPBF

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