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HAT2165N-EL-E

HAT2165N-EL-E

HAT2165N-EL-E

MOSFET N-CH 30V 55A 8LFPAK

nicht konform

HAT2165N-EL-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.91000 $1.91
500 $1.8909 $945.45
1000 $1.8718 $1871.8
1500 $1.8527 $2779.05
2000 $1.8336 $3667.2
2500 $1.8145 $4536.25
2365 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 55A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 3.6mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 4.5 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5180 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-LFPAK-iV
Paket / Koffer 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

IXFP5N100P
IXFP5N100P
$0 $/Stück
RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/Stück
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/Stück
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4

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