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RJK6014DPP-E0#T2

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK6014DPP-E0#T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.12000 $5.12
500 $5.0688 $2534.4
1000 $5.0176 $5017.6
1500 $4.9664 $7449.6
2000 $4.9152 $9830.4
2500 $4.864 $12160
5107 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 575mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NDF10N60ZH
NDF10N60ZH
$0 $/Stück
IPI50R140CP
BSS138K-7
BSS138K-7
$0 $/Stück
DMT4003SCT
SQJ476EP-T1_BE3
SI5468DC-T1-GE3
IXTP20N65X2M
IXTP20N65X2M
$0 $/Stück
RFD8P06LE
SQJQ402E-T1_GE3

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