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RJK6015DPK-00#T0

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MOSFET N-CH 600V 21A TO3P

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVD5413NT4G
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BSC027N03S G
IRL3803S
IRFU220BTU-AM002
IRFU220BTU-AM002
$0 $/Stück
IRLR4343TRR
NTB75N03-06T4
NTB75N03-06T4
$0 $/Stück
FDMS86568-F085
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