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RJM0603JSC-00#13

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MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

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RJM0603JSC-00#13 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 43nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600pF @ 10V
Leistung - max. 54W
Betriebstemperatur 175°C
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 20-HSOP
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