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EM6M1T2R

EM6M1T2R

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

EM6M1T2R Technisches Datenblatt

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EM6M1T2R Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.14500 -
16,000 $0.14000 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V, 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA, 200mA
rds ein (max) @ id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13pF @ 5V
Leistung - max. 150mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
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Zugehörige Teilenummer

IRF7341QTRPBF
DMN5L06VA-7
IRF7379PBF
IPB080N03LG
NDS9942
NDS9942
$0 $/Stück
SI4562DY-T1-E3
SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI4814BDY-T1-E3

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