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R5009FNX

R5009FNX

R5009FNX

MOSFET N-CH 500V 9A TO220FM

R5009FNX Technisches Datenblatt

compliant

R5009FNX Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.15000 $3.15
10 $2.83200 $28.32
100 $2.32050 $232.05
500 $1.97540 $987.7
1,000 $1.66600 -
134 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 840mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 630 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PMPB11EN,115
SIJ128LDP-T1-GE3
IRFB4610PBF
SIHB33N60E-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/Stück
DMN3051L-7

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