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R6007KNJTL

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MOSFET N-CH 600V 7A LPTS

SOT-23

R6007KNJTL Technisches Datenblatt

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R6007KNJTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.79750 -
2,000 $0.77000 -
594 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 470 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 78W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

2SK3199
2SK3199
$0 $/Stück
SI3424CDV-T1-BE3
ON5441518
ON5441518
$0 $/Stück
SUM70101EL-GE3
APT43F60B2
IXFN52N100X
IXFN52N100X
$0 $/Stück
IRLR014PBF
IRLR014PBF
$0 $/Stück

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