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R6018JNJGTL

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MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

R6018JNJGTL Technisches Datenblatt

compliant

R6018JNJGTL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.46000 $4.46
500 $4.4154 $2207.7
1000 $4.3708 $4370.8
1500 $4.3262 $6489.3
2000 $4.2816 $8563.2
2500 $4.237 $10592.5
826 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 286mOhm @ 9A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 4.2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1300 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 220W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTS
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIHP14N60E-BE3
FDS6670A
FDS6670A
$0 $/Stück
FQPF6N80T
IRLD110PBF
IRLD110PBF
$0 $/Stück
BUK7226-75A118
BUK7226-75A118
$0 $/Stück
FDP7042L
IXTA200N055T2
IXTA200N055T2
$0 $/Stück

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