Welcome to ichome.com!

logo
Heim

R6025JNZC8

R6025JNZC8

R6025JNZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

R6025JNZC8 Technisches Datenblatt

compliant

R6025JNZC8 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.88000 $7.88
500 $7.8012 $3900.6
1000 $7.7224 $7722.4
1500 $7.6436 $11465.4
2000 $7.5648 $15129.6
2500 $7.486 $18715
13 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 182mOhm @ 12.5A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 7V @ 4.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3PF
Paket / Koffer TO-3P-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXTA32P20T-TRL
IXTA32P20T-TRL
$0 $/Stück
SI4686DY-T1-GE3
SIHF35N60EF-GE3
FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/Stück
RQ6C050BCTCR
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/Stück
SIHG24N80AE-GE3
SIJH600E-T1-GE3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.