Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

SIHF35N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO220

compliant

SIHF35N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.21000 $7.21
10 $6.46100 $64.61
100 $5.33880 $533.88
500 $4.36624 $2183.12
1,000 $3.71788 -
2,500 $3.54332 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2568 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDB075N15A
FDB075N15A
$0 $/Stück
RQ6C050BCTCR
FDA24N50F
FDA24N50F
$0 $/Stück
SIHG24N80AE-GE3
SIJH600E-T1-GE3
PSMN005-30K,518
SQS423EN-T1_BE3
SIR418DP-T1-GE3
CPH3430-TL-E
CPH3430-TL-E
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.