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R6507KNXC7G

R6507KNXC7G

R6507KNXC7G

650V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI

R6507KNXC7G Technisches Datenblatt

compliant

R6507KNXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.46000 $2.46
500 $2.4354 $1217.7
1000 $2.4108 $2410.8
1500 $2.3862 $3579.3
2000 $2.3616 $4723.2
2500 $2.337 $5842.5
980 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 665mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 470 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SIHB33N60EF-GE3
DI9435T
DI9435T
$0 $/Stück
FDB8444
FDB8444
$0 $/Stück
SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/Stück
FDD8870
FDD8870
$0 $/Stück
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/Stück
BUK7M17-80EX

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