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R6530ENXC7G

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650V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW

R6530ENXC7G Technisches Datenblatt

compliant

R6530ENXC7G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.99000 $6.99
500 $6.9201 $3460.05
1000 $6.8502 $6850.2
1500 $6.7803 $10170.45
2000 $6.7104 $13420.8
2500 $6.6405 $16601.25
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 960µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 86W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FM
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

MTD5N25ET4
MTD5N25ET4
$0 $/Stück
STU11N65M2
STU11N65M2
$0 $/Stück
CSD25480F3
CSD25480F3
$0 $/Stück
STF12N50DM2
PSMN1R0-30YLDX
CSD25483F4T
CSD25483F4T
$0 $/Stück
SIHA22N60AE-GE3
FQD5N60CTM-WS
FQD5N60CTM-WS
$0 $/Stück
NVH4L160N120SC1
NVH4L160N120SC1
$0 $/Stück

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