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RJ1G12BGNTLL

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MOSFET N-CH 40V 120A LPTL

compliant

RJ1G12BGNTLL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.06000 $5.06
500 $5.0094 $2504.7
1000 $4.9588 $4958.8
1500 $4.9082 $7362.3
2000 $4.8576 $9715.2
2500 $4.807 $12017.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.86mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 2mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 165 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12500 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 178W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket LPTL
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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