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RQ3E110AJTB

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RQ3E110AJTB

MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT

RQ3E110AJTB Technisches Datenblatt

nicht konform

RQ3E110AJTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.80000 $0.8
500 $0.792 $396
1000 $0.784 $784
1500 $0.776 $1164
2000 $0.768 $1536
2500 $0.76 $1900
281 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Ta), 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 11.7mOhm @ 11A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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