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RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT

SOT-23

RQ3E180AJTB Technisches Datenblatt

nicht konform

RQ3E180AJTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.40530 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 11mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4290 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

BS107P
BS107P
$0 $/Stück
SIR466DP-T1-GE3
SI7772DP-T1-GE3
NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/Stück
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/Stück
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/Stück
BSS159NL6906
NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G
$0 $/Stück

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