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SI7772DP-T1-GE3

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SI7772DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

SOT-23

nicht konform

SI7772DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.32698 -
6,000 $0.30443 -
15,000 $0.29315 -
30,000 $0.28700 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1084 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4939NT1G
NTMFS4939NT1G
$0 $/Stück
BUK7610-55AL,118
CSD25402Q3A
CSD25402Q3A
$0 $/Stück
STU6N90K5
STU6N90K5
$0 $/Stück
BSS159NL6906
NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G
$0 $/Stück
FCH041N60E
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$0 $/Stück
FDMS7672
FDMS7672
$0 $/Stück
RSQ045N03HZGTR

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