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RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1

RQ3E180AJTB1

NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:

compliant

RQ3E180AJTB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.60550 $0.6055
500 $0.599445 $299.7225
1000 $0.59339 $593.39
1500 $0.587335 $881.0025
2000 $0.58128 $1162.56
2500 $0.575225 $1438.0625
3000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 18A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 11mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 39 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4290 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMTH6009LPSQ-13
R6520ENXC7G
FDMS4D4N08C
FDMS4D4N08C
$0 $/Stück
DMNH6042SPSQ-13
SQJ433EP-T1_GE3
DMT35M4LFVW-13
DMP3011SFVW-7
NVMFS5H610NLT1G
NVMFS5H610NLT1G
$0 $/Stück
RFH10N50
RFH10N50
$0 $/Stück

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