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RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

RS1E200BNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1E200BNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.18910 -
5,000 $0.17690 -
12,500 $0.17080 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3100 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHD3N50DT1-GE3
IRLR8729TRPBF
STD6N90K5
STD6N90K5
$0 $/Stück
FDFMA2P859T
STD52P3LLH6
FDMC7696
FDMC7696
$0 $/Stück
STFI6N62K3
STFI6N62K3
$0 $/Stück

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