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RS1E321GNTB1

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MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP

nicht konform

RS1E321GNTB1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.52000 $2.52
500 $2.4948 $1247.4
1000 $2.4696 $2469.6
1500 $2.4444 $3666.6
2000 $2.4192 $4838.4
2500 $2.394 $5985
4990 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.1mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42.8 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2850 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

PHP27NQ11T,127
VN2450N3-G
SSS6N70A
STW7N105K5
STW7N105K5
$0 $/Stück
PSMN015-100B,118
NTTFS4C53NTAG
NTTFS4C53NTAG
$0 $/Stück
IXTA90N20X3
IXTA90N20X3
$0 $/Stück
FDP8874
FDP8874
$0 $/Stück
STFI7LN80K5

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