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RS1L120GNTB

RS1L120GNTB

RS1L120GNTB

MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP

RS1L120GNTB Technisches Datenblatt

compliant

RS1L120GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.83000 $1.83
500 $1.8117 $905.85
1000 $1.7934 $1793.4
1500 $1.7751 $2662.65
2000 $1.7568 $3513.6
2500 $1.7385 $4346.25
9 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 36A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12.7mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1330 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRLR120NTRPBF
RM12N650TI
RM12N650TI
$0 $/Stück
STF7N105K5
STF7N105K5
$0 $/Stück
MSC080SMA120B
STB4NK60Z-1
NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
$0 $/Stück
SIHB23N60E-GE3
SI4408DY-T1-E3
DMP3068L-7

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