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RUF025N02TL

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MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3

RUF025N02TL Technisches Datenblatt

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RUF025N02TL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.21390 -
6,000 $0.20010 -
15,000 $0.19320 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 54mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 370 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TUMT3
Paket / Koffer 3-SMD, Flat Leads
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