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RUM002N02T2L

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MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3

nicht konform

RUM002N02T2L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.05600 -
16,000 $0.04760 -
24,000 $0.04480 -
56,000 $0.04200 -
200,000 $0.03920 -
64000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.2V, 2.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 25 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

SIHA100N60E-GE3
BSS138BKAHZGT116
STP110N8F7
STP110N8F7
$0 $/Stück
STW7N95K3
STW7N95K3
$0 $/Stück
NTD24N06-1G
NTD24N06-1G
$0 $/Stück
NTMFS4C05NT1G
NTMFS4C05NT1G
$0 $/Stück
NTTFS4930NTAG
NTTFS4930NTAG
$0 $/Stück

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