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RYM002N05T2CL

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MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3

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RYM002N05T2CL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
8,000 $0.06948 -
536000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 50 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0.9V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 800mV @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 26 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket VMT3
Paket / Koffer SOT-723
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Zugehörige Teilenummer

SI1330EDL-T1-GE3
STN1NK80Z
STN1NK80Z
$0 $/Stück
FDP8N50NZ
FDP8N50NZ
$0 $/Stück
APT14M100S
FDC855N
FDC855N
$0 $/Stück
FDD86326
FDD86326
$0 $/Stück
ZVN4206AVSTZ

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