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SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB

SH8K26GZ0TB

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. MIDDLE

SH8K26GZ0TB Technisches Datenblatt

nicht konform

SH8K26GZ0TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 38mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.9nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280pF @ 10V
Leistung - max. 2W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

SI1035X-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3
FDME1024NZT
FDME1024NZT
$0 $/Stück
CSD87381PT
CSD87381PT
$0 $/Stück
DMN2710UDWQ-7
DMG1016UDWQ-7

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