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SH8KA4TB

SH8KA4TB

SH8KA4TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

SH8KA4TB Technisches Datenblatt

nicht konform

SH8KA4TB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.34365 -
5,000 $0.33180 -
1616 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion -
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A
rds ein (max) @ id, vgs 21.4mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 640pF @ 15V
Leistung - max. 3W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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Zugehörige Teilenummer

SIZ270DT-T1-GE3
SI4202DY-T1-GE3
ZXMN3A06DN8TA
QH8JB5TCR
QH8JB5TCR
$0 $/Stück
SI5948DU-T1-GE3
BUK9K17-60EX
RF1K4909096
EM6K31T2R
EM6K31T2R
$0 $/Stück
SQJ974EP-T1_BE3

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