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STB40N60M2

STB40N60M2

STB40N60M2

MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK

STB40N60M2 Technisches Datenblatt

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STB40N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $5.27625 -
2,000 $5.10300 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 34A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 88mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

R6012FNJTL
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FDI045N10A-F102
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R6009ENX
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$0 $/Stück
FQAF19N60
RS1E260ATTB1
NTTFS1D8N02P1E
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$0 $/Stück
NTGS3441T1
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IXTA180N10T-TRL
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MSC040SMA120J

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