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STD10NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

STD10NM60ND Technisches Datenblatt

compliant

STD10NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.45530 -
5,000 $1.40140 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 577 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDS6679AZ
FDS6679AZ
$0 $/Stück
PMV170UN,215
PMV170UN,215
$0 $/Stück
NVMFS5C406NLT1G
NVMFS5C406NLT1G
$0 $/Stück
SIHB12N60ET5-GE3
BUK7Y25-40B,115
BUK7Y25-40B,115
$0 $/Stück

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