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STD8N60DM2

STD8N60DM2

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MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

STD8N60DM2 Technisches Datenblatt

compliant

STD8N60DM2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.70930 -
5,000 $0.67773 -
12,500 $0.65518 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 375 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIA427ADJ-T1-GE3
FDD8750
FQU10N20LTU
IXTA64N10L2-TRL
IXTA64N10L2-TRL
$0 $/Stück
RTF016N05TL
NTHL190N65S3HF
NTHL190N65S3HF
$0 $/Stück
IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
$0 $/Stück
SI1424EDH-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3

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