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STF18NM60N

STF18NM60N

STF18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP

STF18NM60N Technisches Datenblatt

compliant

STF18NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.38516 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 285mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTR4101PT1G
NTR4101PT1G
$0 $/Stück
RS1E240BNTB
NTMFS0D55N03CGT1G
NTMFS0D55N03CGT1G
$0 $/Stück
SCT4036KEC11
STD2HNK60Z-1
FDMS86163P
FDMS86163P
$0 $/Stück
BUK7E1R9-40E,127

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