Welcome to ichome.com!

logo
Heim

STF31N65M5

STF31N65M5

STF31N65M5

MOSFET N-CH 650V 22A TO220FP

STF31N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STF31N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.41000 $6.41
50 $5.15300 $257.65
100 $4.69490 $469.49
500 $3.80174 $1900.87
1,000 $3.20628 -
2,500 $3.04597 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 148mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 816 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 30W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IXTQ200N10T
IXTQ200N10T
$0 $/Stück
SQ3460EV-T1_GE3
SIHP35N60E-GE3
FCPF16N60NT
FCPF16N60NT
$0 $/Stück
PMX100UNZ
PMX100UNZ
$0 $/Stück
SQM40N15-38_GE3
SI4103DY-T1-GE3
SI7430DP-T1-E3
18N10
18N10
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.