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STF34NM60ND

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MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP

STF34NM60ND Technisches Datenblatt

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STF34NM60ND Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $5.77665 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 29A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2785 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SQD40031EL_GE3
SIRA26DP-T1-RE3
IRF830PBF-BE3
RRR030P03TL
STL13N60DM2
STP24N60M2
STP24N60M2
$0 $/Stück
SIRA74DP-T1-GE3

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